電子元器件，儀器儀表
企業會員
品牌： |
Hakuto |
所在地： |
廣東 深圳市 |
起訂： |
≥1 臺 |
供貨總量： |
100 臺 |
有效期至： |
長期有效 |
均勻性： |
±5% |
硅片刻蝕率： |
20 nm/min |
離子源： |
Φ20cm 考夫曼離子源 |
上海伯東日本原裝進口適合大規模量產使用的 Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J, 無論使用什么材料都可以用來加工.
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 配置使用美國 KRI Φ20cm 考夫曼離子源, 蝕刻均勻性: ±5%, 刻蝕速率: 20 nm/min, 樣品臺: 直接冷卻(水冷), 0~90度旋轉, 因此射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等加工形狀.
Hakuto 離子蝕刻機主要優點:
1. 干式制程的微細加工裝置, 使得在薄膜磁頭, 半導體元件, MR sensor 等領域的開發研究及量產得以廣泛應用.
2. 物理蝕刻的特性, 無論使用什么材料都可以用來加工, 所以各種領域都可以被廣泛應用.
3. 配置使用美國考夫曼離子源
4. 射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀.
5. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環境下蝕刻.
6. 配置公轉自轉傳輸機構, 使得被蝕刻物可以得到比較均勻平滑的表面.
7. 機臺設計使用自動化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生產過程.
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J技術參數
Φ4 inch X 12片 | 基片尺寸 | Φ4 inch X 12片 |
樣品臺 | 直接冷卻,水冷 | |
離子源 | Φ20cm 考夫曼離子源 |
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 通氬氣 Ar 不同材料的蝕刻速率:
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