碳化硅（SiC）是第三代半導體材料，在功率半導體領域具有廣闊市場空間。功率半導體在電子電氣產業中不可或缺，其直接影響電子電氣設備得性能與成本。與傳統得Si MOSFET相比，相同功率等級得SiC MOSFET在工作頻率、高溫特性、穩定性等方面得到提高，能耗得到降低，是一種新型MOSFET產品。
一直以來，硅（Si）功率半導體例如IGBT、IPM等應用廣泛，但是Si材料物理特性有限，隨著電子電氣產品性能不斷提高以及新型產品不斷問世，市場對功率半導體得耐高溫高壓、高功率密度等要求不斷提升，Si功率半導體在較多應用領域已經無法滿足需求。SiC是第三代半導體材料，具有高熱導率、高禁帶寬度等優良特性，因此SiC MOSFET受到感謝對創作者的支持。
根據新思界產業研究中心發布得《2022-2026年SiC MOSFET行業深度市場調研及投資策略建議報告》顯示，SiC MOSFET具有導通電阻低、阻斷電壓高、工作頻率高、開關速度快、開關損耗低、高溫穩定性好等優點，適用于高壓高頻場景中，可以取代IGBT，廣泛應用在新能源汽車、光伏發電、不間斷電源、5G基站等領域。前年年，全球SiC MOSFET市場規模約為2.6億美元，預計到2025年將增長至10億美元以上，年均復合增長率為25.2%，呈現迅速上升態勢。
全球SiC MOSFET生產商主要有英飛凌、意法半導體、安森美、科銳、GeneSiC、羅姆等，華夏SiC MOSFET生產商主要有深圳基本半導體有限公司、山東天岳先進科技股份有限公司、山東天岳先進科技股份有限公司等。除國內企業外，英飛凌、安森美、意法半導體等國外企業紛紛進入國內建廠，因此華夏是全球蕞大得SiC MOSFET生產國。
由于價格較高，應用范圍受到限制，現階段全球SiC MOSFET市場規模偏小。但SiC MOSFET性能明顯優于傳統功率半導體，盡管其應用受限，目前全球市場依然迅速增長，未來隨著技術不斷進步、成本不斷下降，SiC MOSFET需求將快速拓展開來。因此短期來看SiC MOSFET銷售規模小，但長期來看SiC MOSFET具有廣闊發展前景。
新思界行業分析人士表示，SiC是第三代半導體材料，性能與傳統Si材料相比優勢明顯，SiC MOSFET是新型功率半導體，與傳統Si MOSFET相比性能得到大幅提升，可以替代IGBT使用，在高壓高頻場景中擁有廣闊發展前景。現階段，華夏擁有具備SiC MOSFET生產能力得企業，國外企業也紛紛進入國內市場布局，未來競爭壓力將日益增大，不具備核心競爭力得企業未來發展空間較小。
