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36氪獲悉，近日高性能SiC（碳化硅）模塊廠家「利普思半導(dǎo)體」已完成近億元人民幣A輪融資，由德聯(lián)資本領(lǐng)投，沃衍資本、飛圖創(chuàng)投跟投。該輪資金將主要用于公司無錫與日本研發(fā)設(shè)備投入，以及研發(fā)投入、管理運(yùn)營(yíng)和市場(chǎng)推廣。
利普思成立于2019年，專注高性能SiC與IGBT功率模塊得研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，擁有創(chuàng)新得封裝材料和封裝技術(shù)，為新能源汽車、氫能車、光伏等行業(yè)應(yīng)用得控制器提供小型化、輕量化和高效化得功率模塊解決方案。目前，公司已經(jīng)申請(qǐng)專利26項(xiàng)，其中發(fā)明專利13項(xiàng)。
功率半導(dǎo)體作為電能轉(zhuǎn)換得核心器件，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、軌道交通、工業(yè)控制、光伏和風(fēng)電等領(lǐng)域，市場(chǎng)空間巨大。據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS數(shù)據(jù)，今年華夏功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)159億美元（約1015億人民幣），到2024年，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)將超過500億美元（約3193億人民幣）。
盡管華夏功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占據(jù)了全球超1/3得規(guī)模，但面向高端領(lǐng)域得功率器件國(guó)產(chǎn)率極低，高端國(guó)產(chǎn)功率模塊得可靠性不足也導(dǎo)致市占率較低，90%以上得中高端MOSFET及IGBT，SiC器件仍然依賴進(jìn)口。
其難點(diǎn)在于，一是高端功率器件主要應(yīng)用在新能源汽車、風(fēng)力發(fā)電、光伏等領(lǐng)域，這些領(lǐng)域?qū)β誓＝M得電氣設(shè)計(jì)、散熱、機(jī)械，可靠性，工藝等方面都有著高要求，國(guó)外如英飛凌、三菱等國(guó)際大廠早已積累了成熟技術(shù)和競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，但國(guó)內(nèi)得IGBT與SiC模組設(shè)計(jì)與制造工藝相對(duì)落后，處于仍追趕階段。
二是芯片設(shè)計(jì)方面，小功率芯片通常采用單管電流設(shè)計(jì)，而大功率芯片需要集成到模組中，通過更多芯片并聯(lián)達(dá)到大功率電流得效果，尤其是汽車應(yīng)用中，國(guó)內(nèi)相關(guān)模組企業(yè)同樣與國(guó)際水平存在差距。
目前，利普思得核心產(chǎn)品覆蓋SiC和IGBT兩個(gè)品類，其中應(yīng)用于氫能商用車和光伏得SiC，以及應(yīng)用在充電樁、工業(yè)變頻器、商用車等方面得IGBT已實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。值得注意得是，盡管SiC作為第三代功率半導(dǎo)體，在性能效率、可靠性和小型輕量化方面具備優(yōu)勢(shì)，但SiC對(duì)IGBT得替代主要集中在高端應(yīng)用市場(chǎng)，在低端市場(chǎng)則是兩者共存得格局。
利普思半導(dǎo)體得碳化硅基模塊產(chǎn)品
利普思聯(lián)合創(chuàng)始人、COO丁烜明告訴36氪，公司得第三代功率半導(dǎo)體SiC模塊技術(shù)水平已能和國(guó)際知名品牌產(chǎn)品展開直接競(jìng)爭(zhēng)，尤其是其采用得全銀燒結(jié)，使用利普思專利得芯片表面連接技術(shù)得直接水冷結(jié)構(gòu)，電氣特性，散熱，功率密度均具有領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
例如，特斯拉得SiC模塊采用了單管方案，每個(gè)單管集成2塊芯片，共并聯(lián)24個(gè)小單管。該方案對(duì)單管得封裝、焊接、連接一致性要求很高，系統(tǒng)應(yīng)用得工藝難度系數(shù)大，因此目前國(guó)內(nèi)廠家更青睞于集成度更高得高性能SiC模組方案。
相比之下，利普思采用得模組方案，采用了自研得芯片表面連接Arc Bonding專利技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)多個(gè)100A電流得芯片連接、6-10個(gè)并聯(lián)，大大提高了模組得電流能力、功率密度和可靠性，可以實(shí)現(xiàn)更小得電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)體積，更高得功率密度有利于華夏電動(dòng)汽車廠家快速進(jìn)行電驅(qū)得研發(fā)與生產(chǎn)。
利普思半導(dǎo)體得碳化硅基模塊產(chǎn)品
利普思一系列技術(shù)優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)得背后，與公司團(tuán)隊(duì)得正向開發(fā)能力息息相關(guān)。目前，公司在日本設(shè)有研發(fā)中心，該研發(fā)中心已初具規(guī)模，將形成完整得先進(jìn)模塊封裝和驗(yàn)證測(cè)試能力。公司還擁有數(shù)十位涵蓋芯片設(shè)計(jì)、封裝材料、封裝設(shè)計(jì)、生產(chǎn)工藝、模塊應(yīng)用等領(lǐng)域得華夏及日本行業(yè)可能。
其中，公司創(chuàng)始人、CEO梁小廣曾任職于三菱電機(jī)、安森美、采埃孚，擁有16年以上IGBT、SiC功率半導(dǎo)體研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，以及多項(xiàng)相關(guān)國(guó)際專利；公司聯(lián)合創(chuàng)始人、COO丁烜明曾任上海電驅(qū)動(dòng)事業(yè)部總監(jiān)，熟悉電動(dòng)汽車客戶、供應(yīng)鏈和質(zhì)量體系要求；聯(lián)合創(chuàng)始人邱威曾就職于理查森，有十余年電子器件行業(yè)銷售經(jīng)驗(yàn)；日本研發(fā)團(tuán)隊(duì)成員平均半導(dǎo)體從業(yè)時(shí)間20年以上，曾就職于三洋、三菱、東芝、日立等公司，研發(fā)中心負(fù)責(zé)人之一得夏目正曾擔(dān)任安森美日本總經(jīng)理。
營(yíng)收及出貨方面，利普思得SiC產(chǎn)品已于今年下半年開始量產(chǎn)，明年銷售額將實(shí)現(xiàn)大突破，SiC模塊將超數(shù)十萬個(gè)。
2022年，利普思將完成乘用車SiC模塊產(chǎn)品量產(chǎn)，其中下一代SiC控制器平臺(tái)將比市面上同樣電流得模塊體積減小30%以上，還可根據(jù)不同電流要求定制，覆蓋150KW-400KW功率。
產(chǎn)品推廣方面，利普思以氫能商用車作為市場(chǎng)突破口，逐步拓展到其他商用車市場(chǎng)，以及光伏等工業(yè)市場(chǎng)，同時(shí)重點(diǎn)布局乘用車市場(chǎng)。現(xiàn)階段，利普思主要客戶覆蓋氫燃料電池系統(tǒng)、電動(dòng)商用車、乘用車、光伏等領(lǐng)域。
投資人說：
德聯(lián)資本執(zhí)行董事方宏博士表示：“能源結(jié)構(gòu)得調(diào)整正影響我們國(guó)計(jì)民生得方方面面，能源供給側(cè)和消費(fèi)側(cè)設(shè)備得器件功率密度提升是必然趨勢(shì)，相關(guān)功率器件從IGBT向SiC升級(jí)已開始全面加速，然而產(chǎn)業(yè)內(nèi)得襯底、外延、器件、封裝各環(huán)節(jié)得技術(shù)Knowhow大相徑庭，應(yīng)用端也都追求性能和差異化應(yīng)用。因此我們認(rèn)為，各環(huán)節(jié)得分工協(xié)作是該產(chǎn)業(yè)得發(fā)展方向。利普思是國(guó)內(nèi)少有得從基礎(chǔ)材料到封裝工藝進(jìn)行底層創(chuàng)新研發(fā)和量產(chǎn)得SiC模塊團(tuán)隊(duì)，我們非常看好其成長(zhǎng)為汽車、光伏以及工業(yè)等領(lǐng)域得領(lǐng)先公司。”
沃衍資本合伙人金鼎博士表示：“全球范圍內(nèi)功率半導(dǎo)體正隨著新能源汽車、軌交、智能電網(wǎng)等多個(gè)下游產(chǎn)業(yè)得爆發(fā)而迅速發(fā)展，尤其是基于第三代半導(dǎo)體器件得解決方案正面臨巨大得市場(chǎng)機(jī)會(huì)。利普思半導(dǎo)體匯聚了國(guó)內(nèi)外實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)豐富得行業(yè)技術(shù)可能，在多種功率模塊上進(jìn)行了創(chuàng)新設(shè)計(jì)及材料革新，不斷地推進(jìn)功率模塊得高效化、小型化。非常期待沃衍資本和利普思得合作，推動(dòng)利普思成為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先得功率模塊供應(yīng)商。”
飛圖創(chuàng)投表示：“在碳中和、碳達(dá)峰大背景下，功率半導(dǎo)體發(fā)揮著重要作用。SiC是功率半導(dǎo)體未來重要得發(fā)展方向，應(yīng)用會(huì)更加廣泛，未來市場(chǎng)空間巨大。利普思半導(dǎo)體擁有行業(yè)內(nèi)創(chuàng)新得SiC模塊封裝工藝技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)模塊更小尺寸、更高效率，并且產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)小批量產(chǎn)。未來，隨著SiC在下游應(yīng)用得持續(xù)滲透，期待利普思半導(dǎo)體迎來更高速得發(fā)展。”
