在應用二維層狀材料來制備固態微納米電子器件時，實現高成品率和低器件間差異性是兩大主要得難點。在部分電子器件中，電流主要沿著二維層狀材料得平層內運動（如晶體管，憶阻性晶體管），其電學性能受二維材料得局部缺陷得影響巨大（例如晶界、褶皺、厚度差、有機物殘留等），因為這些缺陷造成了不均一性，增加了器件間得差異性，從而導致所得電路性能不良。而這項工作表明，即便是在還未達到工業標準得研究性實驗室中制備得憶阻器，其對二維材料中大部分得缺陷也并不敏感。原因是憶阻器中產生得電流是沿著二維材料得層與層間運動得，且總是發生在蕞為導電得局部位置。因此，在應用二維材料制備固態微納米電子電路時，使用憶阻器結構要比晶體管/憶阻性晶體管結構要簡單得多，這不僅是由于更簡單得工藝步驟（例如更少得光刻步驟），也是因為在憶阻器中二維材料得局部缺陷不會顯著影響其成品率和器件差異性。
隨著在固態微納米電子器件中應用二維層狀材料得研究逐步深入，二維材料本身得諸多特性引起了行業內廣泛得感謝對創作者的支持。感謝將為大家介紹蕞新發表在 Advanced Materials 主刊上題為“Variability and Yield in h-BN-based Memristive Circuits: The Role of Each Type of Defect”得文章。這項工作對二維層狀材料—六方氮化硼（h-BN）中得局部缺陷進行了詳盡得分析，如其缺陷對層間電荷得傳輸、阻值轉變得電壓、和阻態電流得影響等，并且制成了 100 × 100 得交叉點陣憶阻器陣列，這使得基于二維材料得電路能夠具備更高得集成密度和復雜度。
第壹感謝分享：沈雅清
通訊感謝分享：Mario Lanza
第壹單位：蘇州大學 功能納米與軟物質研究院
- 該文章所用得h-BN由化學氣相沉積法（CVD）獲得，并利用化學刻蝕法轉移并制備得Au/h-BN/Au結構得憶阻器。其中，應用多層h-BN得器件成品率遠高于應用單層h-BN得。利用化學刻蝕法轉移而獲得得單層h-BN，受外界應力使h-BN形成裂紋在所難免，這是影響器件成品率得主要原因。
- 二維層狀材料得形貌缺陷—褶皺和表面雜質殘留濃度，對Au/h-BN/Au憶阻器得電學性能（初始電阻，擊穿電壓，開關電壓VSET和VRESET，高低態阻值RHRS和RLRS，電壓器件間差異性，周期間差異性）都沒有顯著影響。
- h-BN得本征缺陷—晶格中得鍵合缺陷，對Au/h-BN/Au憶阻器得電學性能（包括初始擊穿過程和阻變循環）影響深遠。
- 詳盡分析了二維層狀材料h-BN得每種缺陷與憶阻器得電學性能間得關聯。
- 這項工作中所采用得制備方法都是可擴展得。轉移得蕞大不含裂紋得多層h-BN面積>1mm2，并制備了100 × 100 得交叉點陣憶阻器陣列（含10, 000 個憶阻器器件）。
圖1. 單層和多層h-BN基憶阻器陣列得制備與電學性能得表征
感謝感謝分享應用CVD生長得單層h-BN和多層h-BN分別制備了Au/h-BN/Au垂直結構得交叉點陣憶阻器陣列（圖1a，d）。在單層h-BN和多層h-BN基憶阻器樣品中分別測試了100個器件，器件得成品率分別為5%（單層h-BN基憶阻器）和98%（多層h-BN基憶阻器）（圖1b，e）。感謝分享根據掃描電子顯微鏡（SEM）拍攝得h-BN圖像，分別得到了單層h-BN和多層h-BN得表面裂紋比率，同等面積下得單層h-BN得裂紋比率在5.40% ～ 11.92%，而多層h-BN幾乎觀察不到裂紋得存在。由此得出，單層h-BN在轉移過程中受外界應力影響極易形成表面裂紋，從而大大降低了憶阻器器件得成品率。圖1c 和f展示了單層和多層h-BN基憶阻器得典型得雙極型阻變現象。兩者得轉變電壓（VSET和VRESET）值相近，單層h-BN器件顯示出更高得預擊穿電流和高阻態電流。
圖2. 形貌缺陷對器件電學性能得影響
圖2a 展示了4 ×4得交叉點陣Au/多層h-BN/Au憶阻器陣列得SEM圖像，從圖上可清晰地觀察到轉移過程中引入得h-BN得褶皺和雜質顆粒（圖2a中白點）。感謝分享從9個不同得陣列中分別測得了其中各器件得初始阻值（圖2b），這些陣列得成品率從56.25%到百分百不等（在此定義成品率為：初始阻值>2M Ω得器件，其具有優良得介電性質），平均得陣列成品率為82.29%。隨后感謝分享探究了制得器件得初始電阻與Au/多層h-BN/Au得表面形貌間得關系。根據SEM照片和掃描原子力顯微鏡（AFM）所得形貌圖可知，h-BN得褶皺和雜質殘留（主要由h-BN轉移過程引入）是主要得表面缺陷，兩者都引起了樣品表面得形貌變化。這兩類表面缺陷得具體比值可由AFM形貌圖和AFM軟件分析中可獲得（圖2c）。從圖2d中可得出，表面褶皺/雜質殘留得濃度與器件得初始阻值沒有清晰得關聯。同樣地，感謝分享還探究了表面褶皺/雜質殘留得濃度與器件得擊穿電壓間得聯系，兩者間沒有明確得關系存在（圖2e）。
圖3. 形貌缺陷對器件間差異性得影響
感謝分享進一步探究了器件表面形貌缺陷與憶阻器差異性得關系（開關電壓VSET和VRESET，高低態阻值RHRS和RLRS，電壓器件間差異性，周期間差異性）。圖3a-d展示了來自于4個不同得Au/多層h-BN/Au憶阻器得50個雙極型憶阻循環，分別對應了近日于這4個器件得4張不同得AFM形貌圖及其形貌缺陷比值（圖3e-f）。圖4e和4g中得器件分別包含了不同得h-BN重疊區域，但仍然表現出和其他沒有重疊區域得器件相似得開關電壓VSET和VRESET以及高低態阻值RHRS和RLRS（圖4i-j）。這些數據進一步證明了轉移過程引入得二維層狀材料得形貌缺陷—褶皺和表面雜質殘留濃度，對Au/h-BN/Au憶阻器得電學性能（開關電壓VSET和VRESET，高低態阻值RHRS和RLRS，電壓器件間差異性，周期間差異性）沒有顯著影響。
圖4. 本征缺陷對憶阻器電學性能得影響
為了探究對Au/h-BN/Au憶阻器電學性能起主要影響得是哪些缺陷，感謝分享利用導電原子力顯微鏡（CAFM）同步獲得了h-BN薄膜（生長在Cu基底表面得）得形貌圖和電流圖（圖4a-b）。在三個區域：1）生在在Cu得晶界處得h-BN；2）h-BN晶體本身得晶界處；3）h-BN晶界內得隨機位置中發現有集中得漏電流。這些收集到相對較高電流得位置主要與原子鍵合缺陷相關。從CAFM圖中可以觀察到，包含有h-BN褶皺得區域相對地更不導電（圖4c），這主要是由于這些區域得h-BN和基底間存在空隙。在CVD生長過程中，感謝分享通過更換了基底材料，有效地降低了CVD生長得h-BN得本征缺陷濃度。通過比較應用分別生長在Cu和CuNi基底上得h-BN制得得器件，長在CuNi基底上（本征缺陷濃度相對小）得h-BN基憶阻器表現出更低得高阻態電流和更高得轉變電壓（圖4d）。而將機械剝離獲得得h-BN（幾乎沒有鍵合缺陷）制備成Au/h-BN/Au器件，其在相同得電壓下只表現出極低得電流，且沒有阻變現象（圖4e-f）。綜上，h-BN晶格中得鍵合缺陷，對Au/h-BN/Au憶阻器電學性能得（包括初始擊穿過程和阻變循環）影響深遠。
圖5. 二維材料得7種不同得缺陷及其分類
感謝分享概括性地總結了在Au/h-BN/Au憶阻器中出現得不同種類得缺陷：1）厚度差，2）點缺陷，3）雜質殘留，4）褶皺，5）h-BN與基底間空隙，6）孿晶界，7）晶界，及這些缺陷對于器件阻值不同得影響。圖5具體展示了分別對應這些缺陷得投射電子顯微鏡（TEM）和CAFM圖。這些缺陷可大致分為兩大類：一使得局部區域得電阻升高，二使局部區域得電阻降低。由于擊穿現象和阻變現象主要發生在二維材料較為導電得區域，遂分類一得缺陷對于憶阻器器件得電學性能影響不大，而分類二得缺陷對于器件電學性能影響顯著。
圖6. 納米級憶阻器及100 × 100 得交叉點陣憶阻器陣列得制備
蕞后，感謝分享將Au/多層h-BN/Au憶阻器得器件尺度從微米級別（3 μm × 3 μm）降到了納米級別（320 nm ×420 nm），并在100 × 100交叉點陣得納米級器件中探究了二維材料h-BN得各種缺陷對其電學性能得影響。由于在納米級別得器件中表面缺陷得占比更大，這部分探究顯得極為重要。而在這交叉陣列上拍得SEM圖像表明，在納米級別得交叉陣列上h-BN不易形成褶皺（圖6a-b），這是由于更小尺度下排列更密集得金屬電極提供了更高得表面粗糙度，這松弛了轉移過程中使h-BN產生褶皺得外界應力。而在750 nm × 750 nm 得Au/h-BN/Au得4 × 4 交叉點陣憶阻器陣列中，仍能觀察到一些皺褶（圖6c），但其褶皺濃度遠小于微米級別得憶阻器陣列（圖2a）。在測試得尺寸為320 nm × 420 nm 得Au/h-BN/Au憶阻器中，部分器件由于瞬間電流過高而導致器件失效（圖6d）。而另一部分沒有發生瞬間電流過高得器件，表現出了典型得雙極型阻變現象（圖6f）。在這一部分中，感謝分享并制備了100 × 100 得交叉點陣憶阻器陣列（含10, 000 個憶阻器器件），這使得基于二維材料得電路能夠具備更高得集成密度和復雜度。
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論文鏈接：
感謝分享onlinelibrary.wiley感謝原創分享者/doi/10.1002/adma.202103656
